TP65H035G4QS
Número de pieza:
TP65H035G4QS
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
3249
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$20.58
$20.58
10+
$14.68
$146.8
100+
$13.97
$1397
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Disipación de Potencia (Máx.)
156W (Tc)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete / Carcasa
8-PowerSFN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.8V @ 1mA
Proveedor Dispositivo Paquete
TOLL
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