TP65H035G4WSQA
Número de pieza:
TP65H035G4WSQA
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
650 V 46.5 GAN FET
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1643
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$22.13
$22.13
30+
$13.92
$417.6
120+
$13.32
$1598.4
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3
Disipación de Potencia (Máx.)
187W (Tc)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.8V @ 1mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
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