TP65H050G4BS
Número de pieza:
TP65H050G4BS
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
650 V 34 A GAN FET
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
543
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$15.82
$15.82
50+
$9.1
$455
100+
$8.45
$845
500+
$8.13
$4065
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Disipación de Potencia (Máx.)
119W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.8V @ 700µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Últimos productos
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanee el código QR