TP65H050G4YS
Número de pieza:
TP65H050G4YS
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1921
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$12.46
$12.46
10+
$9.83
$98.3
450+
$9.31
$4189.5
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4L
Disipación de Potencia (Máx.)
132W (Tc)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.8V @ 700µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
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