TP65H070G4QS-TR
Número de pieza:
TP65H070G4QS-TR
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
650 V 29 A GAN FET
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
2880
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$10.77
$10.77
10+
$7.4
$74
100+
$6.03
$603
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
96W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.4 nC @ 10 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete / Carcasa
8-PowerSFN
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.8V @ 700µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
600 pF @ 400 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TOLL
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