TP65H100G4LSGB-TR
Número de pieza:
TP65H100G4LSGB-TR
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
Hi Volt FETs
Encapsulado:
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
1600
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 3000
Cant.
Precio
Total
3000+
$3.16
$9480
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Paquete / Carcasa
8-VDFN Exposed Pad
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
14.4 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
65.8W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
8-PQFN (8x8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
18.9A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.1V @ 1.8mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
818 pF @ 400 V
Últimos productos
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanee el código QR