TP65H100G4PS
Número de pieza:
TP65H100G4PS
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
Hi Volt FETs
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
242
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$8.65
$8.65
10+
$5.87
$58.7
450+
$3.69
$1660.5
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220AB
Paquete / Carcasa
TO-220-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
14.4 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
65.8W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
18.9A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.1V @ 1.8mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
818 pF @ 400 V
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