TP65H150G4PS
Número de pieza:
TP65H150G4PS
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GAN FET N-CH 650V TO-220
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
3516
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$7.03
$7.03
50+
$3.78
$189
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220AB
Paquete / Carcasa
TO-220-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Disipación de Potencia (Máx.)
83W (Tc)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.8V @ 500µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
598 pF @ 400 V
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