TP65H300G4LSGB-TR
Número de pieza:
TP65H300G4LSGB-TR
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
4382
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$4.6
$4.6
10+
$3.03
$30.3
100+
$2.13
$213
500+
$1.94
$970
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Vgs (Máx.)
±12V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Paquete / Carcasa
8-VDFN Exposed Pad
Disipación de Potencia (Máx.)
21W (Tc)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.8 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
730 pF @ 400 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.8V @ 500µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-PQFN (8x8)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
312mOhm @ 6.5A, 6V
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