UMWSTD35NF06L
UMWSTD35NF06L
UMWSTD35NF06L UMWSTD35NF06L
Número de pieza:
UMWSTD35NF06L
Categoría:
-
Fabricante:
UMW
Descripción:
TO-252 MOSFETS ROHS
Encapsulado:
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Cantidad:
4378
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$1.51
$1.51
10+
$0.92
$9.2
25+
$0.77
$19.25
100+
$0.6
$60
250+
$0.51
$127.5
500+
$0.46
$230
1000+
$0.42
$420
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia (Máx.)
105W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
20mOhm @ 30A, 10V
Últimos productos
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-