XP65AN1K2IT
Número de pieza:
XP65AN1K2IT
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
989
Estado RoHS:
Compatible
PDF:
Existencias
Cantidad mínima: 1
Cant.
Precio
Total
1+
$2.35
$2.35
50+
$1.28
$64
100+
$1.22
$122
500+
$0.98
$490
1000+
$0.9
$900
2000+
$0.83
$1660
5000+
$0.79
$3950
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 250µA
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-220-3 Full Pack
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Vgs (Máx.)
±30V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.5A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
44.8 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220CFM
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2048 pF @ 100 V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.92W (Ta), 34.7W (Tc)
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