XP6NA6R0CMT-L
XP6NA6R0CMT-L
XP6NA6R0CMT-L
Número de pieza:
XP6NA6R0CMT-L
Categoría:
-
Fabricante:
Descripción:
MOSFET N CH 60V 21.7A PMPAK5X6L
Encapsulado:
Embalaje:
Tube
Cantidad:
1600
Estado RoHS:
Compatible
Compartir:
Existencias
Cantidad mínima: 3000
Cant.
Precio
Total
3000+
$0.49
$1470
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.6V @ 250µA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
5W (Ta), 50W (Tc)
Paquete / Carcasa
8-PowerLDFN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2960 pF @ 50 V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-PMPAK (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
21.7A (Ta), 68A (Tc)
Últimos productos
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-