電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
20V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 500µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
29 nC @ 20 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
325 pF @ 1000 V