TW083U65C,RQ
部品番号：
TW083U65C,RQ
製品カテゴリ：
-
説明：
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$25.36
$25.36
10+
$18.31
$183.1
100+
$18.23
$1823
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
28A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
最大消費電力
111W (Tc)
動作温度
175°C
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）
+25V, -10V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
パッケージ / ケース
8-PowerSFN
サプライヤーデバイスパッケージ
TOLL
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 600µA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
873 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
124mOhm @ 15A, 18V
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