テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ / ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
25 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
930 pF @ 30 V