CC-C2-B15-0322
部品番号：
CC-C2-B15-0322
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
SiC Power MOSFET 1200V 12A
封止：
パッケージ：
Bulk
数量：
5
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：5
数量
価格
合計
5+
$7.7
$38.5
10+
$6.6
$66
100+
$6.05
$605
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
最大消費電力
100W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Ta)
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247
パッケージ / ケース
TO-247-4
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
15V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Vgs（最大）
+15V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
40 nC @ 15 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1810 pF @ 200 V
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