CMS120N080B
部品番号：
CMS120N080B
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
封止：
パッケージ：
Bulk
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$20
$20
10+
$14.24
$142.4
100+
$11
$1100
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
35A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263-7
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
パッケージ / ケース
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
最大消費電力
188W (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 10A, 20V
最新製品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
QRコードをスキャン