ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
17 nC @ 5 V
実装タイプ
Surface Mount, Wettable Flank
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 10mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2170 pF @ 50 V
サプライヤーデバイスパッケージ
5-QFN (3.3x3.3)