EPC2367ENGRT
部品番号：
EPC2367ENGRT
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
TRANS GAN 100V .0012OHM 5QFN
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
3572
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$7.58
$7.58
10+
$5.11
$51.1
100+
$3.79
$379
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
最大消費電力
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
17 nC @ 5 V
実装タイプ
Surface Mount, Wettable Flank
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs（最大）
+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 10mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2170 pF @ 50 V
サプライヤーデバイスパッケージ
5-QFN (3.3x3.3)
パッケージ / ケース
5-PowerWQFN
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