18923764396
Japanese
中文 English Japanese Russian French Arabic Korean Spanish Kazakh
トップページ
製品分類
ブランド
引き合い
ニュース
私たちについて
私たちについて
連絡先
お問い合わせ
企業文化
企業文化
トップページ 製品分類 ブランド 引き合い ニュース 私たちについて 連絡先 企業文化
ホーム 製品リスト
EPC2619
EPC2619
EPC2619
部品番号：
EPC2619
製品カテゴリ：
-
メーカー：
EPC
説明：
TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
14713
RoHSステータス：
対応
シェア：
PDF：
EPC2619
見積依頼
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$5.04
$5.04
10+
$3.33
$33.3
100+
$2.36
$236
500+
$2.19
$1095
製品パラメータ
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
最大消費電力
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
5V
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ / ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
8.3 nC @ 5 V
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs（最大）
+6V, -4V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1180 pF @ 50 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
29A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 16A, 5V
最新製品
TW048U65C,RQ
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
詳しく見る
TW027U65C,RQ
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
詳しく見る
TW083U65C,RQ
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
詳しく見る
CDMS24760-170 SL
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
詳しく見る
CDMS24740-170 SL
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
詳しく見る
CDMS24780-170 SL
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
詳しく見る
CDMS24720-170 SL
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
詳しく見る
SL3134K
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
詳しく見る
トップページ 製品分類 ブランド 引き合い ニュース 私たちについて 連絡先 企業文化 Sitemap
ていじょうほうでんし
住所：深セン市福田区華強北街道華航コミュニティ振興路109号華康大院2棟3階315室
Copyright@2026 全著作権所有 登録番号: 粤ICP备10013561号 技術サポート：クラスタテクノロジー
QRコードをスキャン