電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
169A (Tc)
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
15V, 18V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100mA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
7390 pF @ 400 V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
315 nC @ 400 V