電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
110A (Tc)
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
15V, 18V
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 35A, 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
4437 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 60mA (Typ)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
194 nC @ 400 V