電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
65A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4L
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 18V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
125 nC @ 15 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3015 pF @ 400 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 40mA