電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
29A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
18V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 20mA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3L
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 8A, 18V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
73 nC @ 15 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
1548 pF @ 800 V