パッケージ / ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
120A (Tc)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
230 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 20A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
12674 pF @ 30 V