G3F60MT06L-TR
部品番号：
G3F60MT06L-TR
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
650V 55M TO-LL G3F SIC MOSFET
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
1981
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$7.29
$7.29
10+
$5.81
$58.1
100+
$5.13
$513
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
Automotive
認定
AEC-Q101
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
48A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
最大消費電力
185W (Tc)
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
パッケージ / ケース
8-PowerSFN
Vgs（最大）
+22V, -10V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
15V, 18V
サプライヤーデバイスパッケージ
TOLL
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
45 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 7mA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1322 pF @ 400 V
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