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製品リスト
GC210N80FE
部品番号:
GC210N80FE
製品カテゴリ:
-
メーカー:
Goford Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
封止:
パッケージ:
Tube
数量:
1650
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
GC210N80FE
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在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$4.62
$4.62
10+
$3.04
$30.4
100+
$2.15
$215
500+
$1.76
$880
1000+
$1.64
$1640
2000+
$1.59
$3180
製品パラメータ
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
17A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
800 V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-DFN (5x6)
最大消費電力
51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
パッケージ / ケース
8-PowerSMD, Flat Leads
Rds On (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 8.5A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
2200 pF @ 380 V
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