GCMX010B120S1-E1
部品番号：
GCMX010B120S1-E1
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1605
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$48.41
$48.41
10+
$36.33
$363.3
100+
$33.51
$3351
部品ステータス
Active
実装タイプ
Chassis Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Vgs（最大）
+25V, -10V
最大消費電力
652W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 40mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
418 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
10864 pF @ 1000 V
最新製品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
QRコードをスキャン