GCMX040C120S1-E1
部品番号：
GCMX040C120S1-E1
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
GEN3 1200V 40M SIC MOSFET MODULE
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1618
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$25.11
$25.11
10+
$18.12
$181.2
100+
$14.71
$1471
部品ステータス
Active
実装タイプ
Chassis Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
SOT-227-4, miniBLOC
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
53A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
最大消費電力
183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Vgs（最大）
+22V, -8V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
108 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2740 pF @ 1000 V
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