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製品リスト
GPIXV30DFN
部品番号:
GPIXV30DFN
製品カテゴリ:
-
メーカー:
GaNPower
説明:
GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8
封止:
パッケージ:
Bag
数量:
0
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
GPIXV30DFN
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合計
製品パラメータ
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大消費電力
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
パッケージ / ケース
Die
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V
Vgs(最大)
+7.5V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 3.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
8.25 nC @ 6 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
236 pF @ 400 V
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