テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
7V, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
146 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-LHDSO-10-3
パッケージ / ケース
10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
425A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.64mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 115µA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
10040 pF @ 20 V