IMZA120R026M2HXKSA1
部品番号：
IMZA120R026M2HXKSA1
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
IMZA120R026M2HXKSA1
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$15.25
$15.25
30+
$9.3
$279
120+
$8.06
$967.2
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
69A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-247-4
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
60 nC @ 18 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
15V, 18V
Vgs（最大）
+23V, -7V
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 8.6mA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1990 pF @ 800 V
最大消費電力
289W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 27A, 18V
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