IPB175N20NM6ATMA1
部品番号：
IPB175N20NM6ATMA1
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
IPB175N20NM6ATMA1
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$4.11
$4.11
10+
$2.69
$26.9
100+
$1.88
$188
500+
$1.66
$830
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
200 V
パッケージ / ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
39 nC @ 10 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 105µA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
3100 pF @ 100 V
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3-U01
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.7A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 38A, 15V
最大消費電力
3.8W (Ta), 203W (Tc)
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