IPM018N10NM5LF2AUMA1
部品番号：
IPM018N10NM5LF2AUMA1
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
IPM018N10NM5LF2AUMA1
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
2990
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$8.99
$8.99
10+
$6.11
$61.1
100+
$4.74
$474
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V, 15V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
178 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-HSOG-4-1
パッケージ / ケース
4-PowerSFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 15V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.45V @ 240µA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
14000 pF @ 50 V
最大消費電力
3.8W (Ta), 349W (Tc)
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