パッケージ / ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Ta)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
44 nC @ 4.5 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
3430 pF @ 20 V