テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
4.5V, 10V
パッケージ / ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 50A, 10V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
178 nC @ 10 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
11266 pF @ 20 V