MCB3D0N10Y-TP
部品番号：
MCB3D0N10Y-TP
製品カテゴリ：
-
説明：
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
封止：
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：800
数量
価格
合計
800+
$3.45
$2760
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
94 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 50A, 10V
最大消費電力
230W (Tj)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
7076 pF @ 50 V
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