MDD2N65D
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最小注文数量：2500
数量
価格
合計
2500+
$0.5
$1250
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
150°C (TJ)
パッケージ / ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±30V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
338 pF @ 25 V
最大消費電力
35W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2Ohm @ 1A, 10V
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