MXP120A045FE-T1GE3
部品番号：
MXP120A045FE-T1GE3
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
SIC MOSFET
封止：
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
数量：
0
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1600
数量
価格
合計
1600+
$13.94
$22304
部品ステータス
Active
サプライヤーデバイスパッケージ
-
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
グレード
-
認定
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ
-
パッケージ / ケース
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
49A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
最大消費電力
212W (Tc)
Vgs（最大）
+22V, -10V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.38V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
75.6 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1958 pF @ 800 V
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