N3T035MP120D
部品番号：
N3T035MP120D
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
1200 V, 35 m SiC MOSFET, TO-247-
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
2252
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$18.65
$18.65
25+
$16.45
$411.25
100+
$15.35
$1535
500+
$14.25
$7125.01
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-247-3
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 20V
最大消費電力
319W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-3L
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 15mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
76A
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
126 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2204 pF @ 800 V
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