NC1M120C35HTNG
部品番号：
NC1M120C35HTNG
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
SIC MOSFET 1200V 35M 75A TO247-
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1700
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：50
数量
価格
合計
50+
$27.76
$1388
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
75A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4L
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1.2 kV
Vgs（最大）
+18V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 33.3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 15mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
190 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
2834 pF @ 1 kV
最大消費電力
386W (Ta)
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