NC2M120C20HTNG
部品番号：
NC2M120C20HTNG
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
SIC MOSFET 1200V 20M 126A TO247
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1700
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：50
数量
価格
合計
50+
$42.89
$2144.5
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ / ケース
TO-247-4
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4L
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1.2 kV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
126A (Tc)
Vgs（最大）
+20V, -5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 63A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 20mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
282 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4615 pF @ 1 kV
最大消費電力
625W (Ta)
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