PSMN1R3-80SSFJ
部品番号：
PSMN1R3-80SSFJ
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
NEXTPOWER 80 V, 1.2 MOHM, 335 AM
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
1600
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$7.23
$7.23
10+
$4.86
$48.6
100+
$3.55
$355
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
246 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
335A (Tc)
最大消費電力
341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 25A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
LFPAK88 (SOT1235)
パッケージ / ケース
SOT-1235
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
16647 pF @ 40 V
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