QS1200SCM36
部品番号：
QS1200SCM36
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
1200V 36AMP SiC Mosfet
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
990
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：50
数量
価格
合計
50+
$1.38
$69
100+
$1.28
$128
250+
$1.1
$275
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
認定
-
グレード
Automotive
パッケージ / ケース
TO-247-3
動作温度
-55°C ~ 175°C
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
2.8V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
36A
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-3
Vgs（最大）
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
60 nC @ 600 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1001 pF @ 800 V
最大消費電力
198W
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