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製品リスト
RQ3L120BLFRATCB
部品番号:
RQ3L120BLFRATCB
製品カテゴリ:
-
メーカー:
ROHM Semiconductor
説明:
NCH 60V 12A, HSMT8AG, POWER MOSF
封止:
パッケージ:
Cut Tape (CT)
数量:
3000
RoHSステータス:
対応
シェア:
PDF:
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在庫
最小注文数量:1
数量
価格
合計
1+
$1.77
$1.77
10+
$1.12
$11.2
100+
$0.75
$75
500+
$0.59
$295
1000+
$0.54
$540
製品パラメータ
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大)
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
Automotive
認定
AEC-Q101
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Tc)
最大消費電力
40W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
パッケージ / ケース
8-PowerVDFN
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 12A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ
8-HSMT (3.2x3)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds
440 pF @ 30 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 193µA
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