RQ3P120BLFRATCB
部品番号：
RQ3P120BLFRATCB
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
3000
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$1.78
$1.78
10+
$1.13
$11.3
100+
$0.75
$75
500+
$0.59
$295
1000+
$0.54
$540
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
100 V
Vgs（最大）
±20V
FETフィーチャー
-
グレード
Automotive
認定
AEC-Q101
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Tc)
最大消費電力
40W (Tc)
動作温度
150°C (TJ)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
6V, 10V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
6.8 nC @ 10 V
パッケージ / ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-HSMT (3.2x3)
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
360 pF @ 50 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 843µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 12A, 10V
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