S1M1000170D
部品番号：
S1M1000170D
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1760
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$5.03
$5.03
10+
$3.32
$33.2
300+
$2.05
$615
600+
$1.9
$1140
1200+
$1.78
$2136
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
パッケージ / ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247AD
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
最大消費電力
81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1700 V
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs（最大）
+25V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2A, 20V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
10 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
160 pF @ 1000 V
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