S2M0016120N
部品番号：
S2M0016120N
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 1
封止：
パッケージ：
Bulk
数量：
1600
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$36.37
$36.37
36+
$23.47
$844.92
部品ステータス
Active
実装タイプ
Chassis Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
SOT-227-4, miniBLOC
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
140A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
最大消費電力
517W (Tc)
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs（最大）
+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 23mA
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 75A, 20V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
285 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
4540 pF @ 1000 V
最新製品
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
QRコードをスキャン