S2M0080120B
部品番号：
S2M0080120B
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
DIODE MOSFETS SILICON CARBIDES 1
封止：
パッケージ：
Cut Tape (CT)
数量：
1600
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$7.7
$7.7
10+
$5.2
$52
100+
$3.78
$378
部品ステータス
Active
実装タイプ
Surface Mount
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-263-7
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
最大消費電力
176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs（最大）
+20V, -5V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
54 nC @ 20 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
1324 pF @ 1000 V
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