S3M0016120D
部品番号：
S3M0016120D
製品カテゴリ：
-
メーカー：
説明：
MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 1
封止：
パッケージ：
Tube
数量：
1600
RoHSステータス：
対応
PDF：
在庫
最小注文数量：1
数量
価格
合計
1+
$19.13
$19.13
10+
$13.59
$135.9
300+
$10.39
$3117
実装タイプ
Through Hole
部品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
FETフィーチャー
-
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
グレード
-
認定
-
パッケージ / ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247AD
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
120A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)
1200 V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 30mA
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 75A, 18V
Vgs（最大）
+18V, -4V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs
287 nC @ 18 V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds
5251 pF @ 1000 V
最大消費電力
732W (Tc)
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